Новая флеш память от Hynix

Новая флеш память от Hynix

В среду была показана новейшая разработка компании – 238-слойная микросхема флэш-памяти NAND. Выпуск чипа в серию ожидается в следующем году.

238-слойная флэш-память NAND от SK Hynix поставляется в трехуровневой ячейке емкостью 512 Г/бит в секунду. Новинка была продемонстрирована на саммите по флэш-памяти в Санта-Кларе (Flash Memory Summit at Santa Clara). 

Последняя версия NAND от южнокорейского производителя, появилась всего через год и семь месяцев после того, как им же была представлена 176-слойная NAND.

Компания заявила, что микросхема имеет самое большое количество слоев, но при этом является самым маленьким чипом в своем классе. По словам представителей SK Hynix, ее производительность выросла, а энергопотребление сократилось на 21% по сравнению с предыдущей моделью.

Источник

Поделиться ссылкой:

The following two tabs change content below.
EsmyNews - Новости мира высоких технологий. Что происходит в крупнейших IT-компаниях, новости о компьютерных играх, железо, актуальные тенденции в мире разработки и многое другое

Esmy News

EsmyNews - Новости мира высоких технологий. Что происходит в крупнейших IT-компаниях, новости о компьютерных играх, железо, актуальные тенденции в мире разработки и многое другое

Добавить комментарий